Thyristor me ndërrim të shpejtë

Përshkrim:

Tiristor me ndërprerje të shpejtë, me të njëjtën strukturë dhe simbol të tiristorit të kontrollit fazor, ndërsa karakteristikat statike më të mira, veçanërisht karakteristikat dinamike kërkohen nga aplikimi me frekuencë të lartë të qarkut të korrigjimit, prerjes, inverterit dhe konvertimit të frekuencës.Parametrat dinamikë të tiristorit të shpejtë janë shpejtësia e shpejtë e ndezjes dhe shpejtësia e zgjerimit të ndezjes, më pak ngarkesa e rikuperimit të kundërt dhe koha e shkurtër e fikjes, shkalla e lartë e rritjes kritike të rrymës në gjendje (di/dt) dhe shkalla kritike e rritja e tensionit jashtë gjendjes (dv/dt).Rryma e vlerësuar e tiristorit të shpejtë brenda frekuencës së vlerësuar nuk zvogëlohet ose zvogëlohet pak kur frekuenca rritet.

Standardi i prodhimit dhe teknologjia e përpunimit të tiristorit me ndërprerje të shpejtë të RUNAU Electronics u prezantua nga SHBA që në vitet 1980, si një pionier i prodhimit të tiristorit në Kinë, ekipi teknik i RUNAU kishte marrë njohuritë më të fundit dhe përvojën e bollshme të prodhimit për më shumë se 30 vjet.Në bazë të procesit tradicional të prodhimit, teknikët e talentuar të RUNAU Electronics kishin zhvilluar teknologjinë e artit të shtetit në prodhimin e tiristorit me tipare përparësie të produkteve evropiane, cilësia dhe performanca janë përmirësuar shumë, më shumë fitore të mëdha janë arritur në aplikimet e elektronikës së energjisë. dhe u krijua më shumë vlerë për partnerët.

Prezantimi:

1. Çip

Çipi i tiristorit i prodhuar nga RUNAU Electronics është teknologjia e aliazhit të sinteruar e përdorur.Vafera e silikonit dhe molibdenit u sinterizua për aliazh nga alumini i pastër (99,999%) në mjedis me vakum të lartë dhe temperaturë të lartë.Administrimi i karakteristikave të sinterimit është faktori kryesor që ndikon në cilësinë e tiristorit.Njohuria e RUNAU Electronics përveç menaxhimit të thellësisë së lidhjes së aliazhit, rrafshimit të sipërfaqes, zgavrës së aliazhit, si dhe aftësisë së plotë të difuzionit, modelit të rrethit të unazës, strukturës speciale të portës.Gjithashtu, përpunimi i veçantë u përdor për të reduktuar jetëgjatësinë e bartësit të pajisjes, në mënyrë që shpejtësia e rikombinimit të bartësit të brendshëm të përshpejtohet shumë, ngarkesa e rikuperimit të kundërt të pajisjes të zvogëlohet dhe rrjedhimisht shpejtësia e ndërrimit të përmirësohet.Matje të tilla u aplikuan për të optimizuar karakteristikat e ndërrimit të shpejtë, karakteristikat në gjendje dhe vetinë e rrymës së rritjes.Funksionimi dhe funksionimi i përcjelljes së tiristorit është i besueshëm dhe efikas.

2. Kapsulimi

Me kontroll të rreptë të rrafshueshmërisë dhe paralelizmit të vaferës së molibdenit dhe paketimit të jashtëm, çipi dhe vafera e molibdenit do të integrohen fort dhe plotësisht me paketimin e jashtëm.Të tilla do të optimizojnë rezistencën e rrymës së mbingarkesës dhe rrymës së lartë të qarkut të shkurtër.Dhe matja e teknologjisë së avullimit të elektroneve u përdor për të krijuar një film të trashë alumini në sipërfaqen e vaferës së silikonit, dhe shtresa e rutenit e veshur në sipërfaqen e molibdenit do të rrisë shumë rezistencën ndaj lodhjes termike, koha e jetës së punës së tiristorit të ndërrimit të shpejtë do të rritet ndjeshëm.

Specifikime teknike

1. Tiristor me ndërprerje të shpejtë me çip të llojit aliazh i prodhuar nga RUNAU Electronics, varg I_TAVnga 200A në 4000A dhe V_DRM/V_RRMnga 1200 V në 4500 V.
2. I_GT, V_GTedhe une_Hjanë vlerat e provës në 25℃, përveç nëse përcaktohet ndryshe, të gjithë parametrat e tjerë janë vlerat e testit nën T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Gjerësia e bazës së rrymës gjysmëvalore sinusoidale.Në 50 Hz, I²t=0,005I²FSM (A²S);
4. Në 60 Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametri: