Tiristor i kontrollit të fazës (Lloji i lidhjes)

Përshkrim:

Thyristor, i njohur gjithashtu si ndreqësi i kontrollit të silikonit (SCR), është një pajisje gjysmëpërçuese me fuqi të lartë që përbëhet nga tre struktura PN.Për sa i përket performancës, tiristori jo vetëm që ka përçueshmëri të njëanshme, por ka edhe kontrollueshmëri më të vlefshme se elementi ndreqës i silikonit, i cili vetëm dy gjendje përçueshmërie dhe jo-gjendje, për të kontrolluar fuqi të madhe me fuqi të vogël, përforcim të fuqisë deri në qindra ose mijëra herë.Reagimi është shumë i shpejtë, ndizet dhe fiket në mikrosekonda.Funksionim pa kontakt, pa shkëndija, pa zhurmë, ndërsa efikasitet i lartë dhe kosto e ulët.Prandaj, veçanërisht në sistemin e furnizimit me energji të lartë, tiristori është përdorur gjerësisht në qarkun ndreqës, ndërprerësin statik të anashkalimit, çelësin e daljes pa kontakt dhe qarqet e tjera.

Standardi i prodhimit të tiristorit dhe teknologjia e përpunimit të RUNAU Electronics u prezantua nga SHBA që në vitet 1980, si një pionier i prodhimit të tiristorit në Kinë, ekipi teknik i RUNAU kishte marrë njohuritë më të fundit dhe përvojën e bollshme të prodhimit për më shumë se 30 vjet.Në bazë të procesit tradicional të prodhimit, teknikët e talentuar të RUNAU Electronics kishin zhvilluar teknologjinë e artit të shtetit në prodhimin e tiristorit me veçoritë e avantazhit të produkteve evropiane, cilësia dhe performanca janë përmirësuar shumë, më shumë fitore të mëdha janë arritur në aplikimin e elektronikës së fuqisë. fusha, dhe u krijua më shumë vlerë për partnerët.

Prezantimi:

1. Çip

Çipi i tiristorit i prodhuar nga RUNAU Electronics është teknologjia e aliazhit të sinteruar e përdorur.Vafera e silikonit dhe molibdenit u sinterizua për aliazh nga alumini i pastër (99,999%) në mjedis me vakum të lartë dhe temperaturë të lartë.Administrimi i karakteristikave të sinterimit është faktori kryesor që ndikon në cilësinë e tiristorit.Njohuria e RUNAU Electronics përveç menaxhimit të thellësisë së lidhjes së aliazhit, rrafshimit të sipërfaqes, zgavrës së aliazhit, si dhe aftësisë së plotë të difuzionit, portës qendrore, modelit të rrethit unazor, u aplikuan për të mundësuar funksionimin e besueshëm dhe efikas të përçueshmërisë së tiristorit, në mënyrë që të garantojnë performancë me cilësi të lartë.

2. Kapsulimi

Me kontroll të rreptë të rrafshueshmërisë dhe paralelizmit të vaferës së molibdenit dhe paketimit të jashtëm, çipi dhe vafera e molibdenit do të integrohen fort dhe plotësisht me paketimin e jashtëm.Të tilla do të optimizojnë rezistencën e rrymës së mbingarkesës dhe rrymës së lartë të qarkut të shkurtër.Dhe matja e teknologjisë së avullimit të elektroneve u përdor për të krijuar një film të trashë alumini në sipërfaqen e vaferës së silikonit, dhe shtresa rutenium e veshur në sipërfaqen e molibdenit do të rrisë shumë rezistencën ndaj lodhjes termike, koha e jetës së punës së tiristorit do të rritet ndjeshëm.

Specifikime teknike

1. Tiristor i kontrolluar me fazë me çip të llojit aliazh i prodhuar nga RUNAU Electronics, varg I_TAVnga 300A në 6000A dhe V_DRM/V_RRMnga 800 V në 4400 V.
2. I_GT, V_GTedhe une_Hjanë vlerat e provës në 25℃, përveç nëse përcaktohet ndryshe, të gjithë parametrat e tjerë janë vlerat e testit nën T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Gjerësia e bazës së rrymës gjysmëvalore sinusoidale.Në 50 Hz, I²t=0,005I²FSM (A²S);
4. Në 60 Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametri: